RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3824
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link