RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
74
Autour de -147% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3824
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link