RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
74
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
4112
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link