RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3697
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link