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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
74
左右 -147% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
30
读取速度,GB/s
4,178.4
22.3
写入速度,GB/s
2,201.1
16.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3697
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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