RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
74
Wokół strony -252% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3087
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link