RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
4043
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link