RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
74
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
62
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2138
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link