RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
74
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3018
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link