RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1832
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link