RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
74
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1904
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link