RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
74
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
52
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2260
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMTS16GM4800A40T2 16GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link