RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
74
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
52
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2260
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link