RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
74
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2568
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link