RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
74
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
48
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2568
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link