RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
75
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
75
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1729
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link