RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
74
Wokół strony -252% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3167
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link