RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
74
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2615
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link