RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
81
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
81
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1651
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link