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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
74
81
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.5
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.6
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
81
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
1651
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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