RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
74
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3004
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link