RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2320
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link