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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
74
En -106% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2320
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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