RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
74
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2240
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link