RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
68
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
2575
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link