RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3956
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link