RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
69
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2374
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link