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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
69
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
49
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2374
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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