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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
69
Autour de -41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
49
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2374
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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