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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
69
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
49
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
8.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2374
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
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