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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
69
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
49
读取速度,GB/s
3,325.1
10.5
写入速度,GB/s
1,441.2
8.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2374
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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