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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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更快的读取速度,GB/s
18.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
11.8
18.3
写入速度,GB/s
7.3
17.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3956
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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