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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
67
左右 -148% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
27
读取速度,GB/s
6.8
18.3
写入速度,GB/s
3.6
17.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3956
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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