RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
74
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3756
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link