RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
79
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
79
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1850
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link