RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony -204% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2517
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link