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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
73
Por volta de -204% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2517
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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