RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2553
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link