RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
73
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2553
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link