RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
73
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3572
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link