RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3938
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link