RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
73
Autour de -181% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3938
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link