RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3367
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link