RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2510
3660
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link