RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
96
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2648
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link