RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
96
Autour de -243% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2648
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link