RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
96
En -243% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2648
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link