RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3568
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link