RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
73
Autour de -143% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3568
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641152 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905471-085.A00LF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link