RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
73
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2587
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link